，6月30日，据Citrini研究员Jukan爆料，三星电子提交最新HBM专利，通过改进最顶层dummydie结构解决高堆叠（12层以上）内存的可靠性难题。专利核心是将dummydie侧面设计为三阶台阶加凸曲面结构，采用深槽锯切工艺，减少翘曲、裂纹和分层，同时优化热管理和bonding界面清洁度。此创新针对HBM5等16层以上产品，可显著提升良率和长期稳定性，有助于三星在AI高带宽内存市场增强竞争力。