韩国三星电子和 SK 海力士正加速布局 HBM 及下一代存储技术，以维持领先优势。三星电子表示，第二季度研发投入达到创纪录的 16 万亿韩元（约 116 亿美元），并计划扩大 HBM4、HBM4E、DDR5 等高端存储产品布局。SK 海力士则正在开发 HBM5、混合键合及 iHBM 等下一代技术，预计今年资本支出规模达到 40 万亿韩元（约 326 亿美元）。 与此同时，CXMT 正快速推进 HBM 技术发展，目标在今年年底前实现 HBM3 量产。业内认为，虽然 CXMT 当前 HBM3 良率仍较低，短期