SK 海力士与闪迪公开基于 NAND 闪存的下一代存储技术高带宽闪存（HBF）首个标准规格。SK 海力士于 8 月 4 日至 6 日在美国加州圣克拉拉举行的 FMS 2026 上提出该规格。 HBF 通过类似高带宽内存（HBM）的垂直堆叠方式堆叠 NAND 闪存，以提升容量和数据传输速度。该规格按 8 层和 16 层 NAND die 两种堆叠配置定义，容量最高 512GB，带宽分三档，支持每秒 0.4TB 至 3.0TB。 HBF 与处理器的连接方式采用行业标准 UCIe，可连接 GPU、CPU 等不同